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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
25 A
(1)
42 A
(1)
64 A
(1)
功率 - 最大值:
156 W
(1)
184 W
(1)
250 W
(1)
测试条件:
400V,15A,10 欧姆,15V
(1)
400V,30A,10 欧姆,15V
(1)
800V,8A,10 欧姆,15V
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
110 A
(1)
44 A
(1)
45 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
(1)
2.5V @ 15V,30A
(1)
3V @ 15V,8A
(1)
开关能量:
150µJ(开),215µJ(关)
(1)
300µJ(开),285µJ(关)
(1)
525µJ(开),600µJ(关)
(1)
栅极电荷:
145 nC
(1)
65 nC
(1)
75 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/225ns
(1)
6ns/105ns
(1)
7ns/100ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
IGBT 类型 : NPT
封装/外壳 : TO-220-3
供应商器件封装 : TO-220 [K]
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT11GF120KRG
Microsemi
IGBT 1200V 25A 156W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GT60KRG
Microsemi
IGBT 600V 42A 184W TO...
1
2,000
加入询价
APT30GT60KRG
Microsemi
IGBT 600V 64A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT11GF120KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT15GT60KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT30GT60KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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