- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- Microsemi (6)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 测试条件：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
24 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,856 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,970 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,965 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 650V 208A 892W T-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 650V 92A 357W TO... |
1 | 14 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 650V 134A 595W TO... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT NPT 650V 80A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT NPT 650V 80A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
