- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 测试条件：
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
-
- 栅极电荷：
-
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 20... |
1 | 1,933 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 240 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 650V 10A D2PAK |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 650V 10A TO-220A... |
1 | 2 | 加入询价 |
