- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 446 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 20A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A TO263-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
