- 品牌:
-
- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 测试条件:
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
10 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 269 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 65 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT 1200V 67A 272W D3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT 1200V 67A 272W TO... |
1 | 7 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP L... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 140... |
1 | 2,000 | 加入询价 |