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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
1350 V
(1)
测试条件:
600V,30A,10 欧姆,15V
(1)
600V,30A,5 欧姆,15V
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,30A
(1)
2.5V @ 15V,30A
(1)
开关能量:
4.4mJ(开),1.18mJ(关)
(1)
4.5mJ(开),850µJ(关)
(1)
栅极电荷:
300 nC
(1)
330 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/145ns
(1)
40ns/245ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
IGBT 类型 : 沟槽型场截止
供应商器件封装 : TO-3PN
功率 - 最大值 : 329 W
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA030A120MN-FD
SemiQ
IGBT 1200V 60A 329W TO...
1
2,000
加入询价
GPA030A135MN-FDR
SemiQ
IGBT 1350V 60A 329W TO...
1
2,000
加入询价
GPA030A120MN-FD
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA030A135MN-FDR
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
品牌:
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