- 品牌:
-
- ON Semiconductor (5)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 功率 - 最大值:
-
- 测试条件:
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 开关能量:
-
- 栅极电荷:
-
24 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 30A TO252-3 |
1 | 29,612 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 217W TO... |
1 | 443 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | IGBT 1200V 15A,TO-247A... |
1 | 1,796 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 1,992 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 30A 260W TO... |
1 | 464 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGD15N65T6ARMA1 |
1 | 2,698 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 600V 30A 130W TO... |
1 | 105 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 55 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 450 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 30A 260W TO... |
1 | 600 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT HB 1200V 15A HS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 120... |
1 | 17 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 357W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 135... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 15A 1200V TO-247 |
1 | 2,000 | 加入询价 |