- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
-
24 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 453 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 40A 52W TO3... |
1 | 205 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 1,959 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 170W TO... |
1 | 332 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 1,413 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 170W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP C... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 40A 168W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 40A 136W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 40A 136W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP C... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 40A 168W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
