- 品牌：
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- ON Semiconductor (13)
- STMicroelectronics (14)
- Littelfuse (27)
- Microsemi (1)
- ROHM Semiconductor (10)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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88 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 100A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 1.7KV 40A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT HB 1200V 25A HS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 428W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IGBT 1200V-X TO247 TU... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 100A 463W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 1200V 25A TO247 |
1 | 25 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 1000V 50A 200W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 50A 170W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 600V 28A 63W ISO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
