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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30 A
(1)
40 A
(1)
功率 - 最大值:
212 W
(1)
223 W
(1)
测试条件:
600V,15A,10 欧姆,15V
(1)
600V,20A,10 欧姆,15V
(1)
IGBT 类型:
NPT 和沟道
(1)
沟槽型场截止
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
45 A
(1)
60 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
(1)
2.5V @ 15V,20A
(1)
开关能量:
1.61mJ(开),530µJ(关)
(1)
2.8mJ(开),480µJ(关)
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/166ns
(1)
30ns/150ns
(1)
反向恢复时间 (trr):
320 ns
(1)
425 ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
安装类型 : 通孔
供应商器件封装 : TO-3PN
栅极电荷 : 210 nC
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA015A120MN-ND
SemiQ
IGBT 1200V 30A 212W TO...
1
2,000
加入询价
GPA020A120MN-FD
SemiQ
IGBT 1200V 40A 223W TO...
1
2,000
加入询价
GPA015A120MN-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA020A120MN-FD
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
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