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晶体管
IGBT
单 IGBT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
40 A
(1)
60 A
(1)
功率 - 最大值:
223 W
(1)
329 W
(1)
测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
(1)
600V,30A,5 欧姆,15V
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
60 A
(1)
90 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,20A
(1)
2.4V @ 15V,30A
(1)
开关能量:
2.5mJ(开),760µJ(关)
(1)
4.4mJ(开),1.18mJ(关)
(1)
栅极电荷:
180 nC
(1)
300 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/175ns
(1)
30ns/145ns
(1)
反向恢复时间 (trr):
425 ns
(1)
450 ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
安装类型 : 通孔
供应商器件封装 : TO-3PN
电压 - 集射极击穿(最大值) : 1350 V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA020A135MN-FD
SemiQ
IGBT 1350V 40A 223W TO...
1
2,000
加入询价
GPA030A135MN-FDR
SemiQ
IGBT 1350V 60A 329W TO...
1
2,000
加入询价
GPA020A135MN-FD
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA030A135MN-FDR
SemiQ
-
库存 : 2,000
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