- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (60)
- ON Semiconductor (3)
- STMicroelectronics (11)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 已选条件：
88 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH 600V 60... |
1 | 616 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 80A 260.4W |
1 | 114 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | IGBT 600V 30A PFC |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 16A 30W TO-... |
1 | 67 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 45A 40W TO-... |
1 | 38 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 40A 178.5W T... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 60A 41.2W TO... |
1 | 88 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | IGBT 600V 30A PFC |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F DISCRETE IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 45A 35W TO-... |
1 | 8 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 40A TO220AB |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 50A 201.6W T... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 60A 290W TO... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 25W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 68W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 68W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 80W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
