- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (5)
- ON Semiconductor (111)
- STMicroelectronics (16)
- Littelfuse (62)
- Microsemi (1)
- ROHM Semiconductor (18)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 已选条件：
267 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | IGBT 430V 21A TO263AB |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 400V 41A TO252AA |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT 460V 20A IGNIT... |
1 | 84 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT 430V 30A IGNIT... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 400V 26.9A TO252A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 67A 272W D3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 1200V 75A 300W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
