- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 1,959 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 115W D2P... |
1 | 420 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP C... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A TO263-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
