- 品牌：
-
- ON Semiconductor (3)
- 封装/外壳：
-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
-
- 开关能量：
-
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
-
26 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A D2PAK |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | IGBT 430V 21A TO263-6 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
