- 品牌:
-
- Intersil(瑞萨电子公司) (1)
- ON Semiconductor (8)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 功率 - 最大值:
-
- 测试条件:
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 开关能量:
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
22 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Intersil(瑞萨电子公司) | IGBT 600V 45A 122W LD... |
1 | 1,021 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 8ECH |
1 | 458 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 60W DPA... |
1 | 1,946 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 70W DPA... |
1 | 1,240 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 55W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 150A ECH8 |
1 | 4 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 68W D2PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 80W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 80W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 400V 1W 8-SOIC |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 600V 10A 60W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 400V 600MW 8TSS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 8TSSOP |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 8SOP |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V ECH8 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V ECH8 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 150A 8ECH |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 400V 150A 8SOIC |
1 | 2,000 | 加入询价 |