- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Microsemi (2)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 已选条件：
16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT NPT/TRENCH 1... |
1 | 196 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 446 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT NPT 600V 22A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 20A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
