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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
42 A
(1)
45 A
(1)
功率 - 最大值:
184 W
(1)
195 W
(1)
测试条件:
400V,15A,10 欧姆,15V
(1)
800V,15A,4.3 欧姆,15V
(1)
IGBT 类型:
NPT
(1)
沟槽型场截止
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,15A
(1)
2.5V @ 15V,15A
(1)
开关能量:
150µJ(开),215µJ(关)
(1)
410µJ(开),950µJ(关)
(1)
栅极电荷:
75 nC
(1)
90 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
10ns/150ns
(1)
6ns/105ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
供应商器件封装 : TO-220 [K]
电流 - 集电极脉冲 (Icm) : 45 A
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT15GN120KG
Microsemi
IGBT 1200V 45A 195W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GT60KRG
Microsemi
IGBT 600V 42A 184W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GN120KG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT15GT60KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
品牌:
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