- 品牌：
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- Microsemi (2)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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4 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | IGBT 650V 208A 892W T-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT PT COMBI 1200V... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
