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晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
1350 V
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,20A
(1)
2.5V @ 15V,20A
(1)
开关能量:
2.5mJ(开),760µJ(关)
(1)
2.8mJ(开),480µJ(关)
(1)
栅极电荷:
180 nC
(1)
210 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/175ns
(1)
30ns/150ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
供应商器件封装 : TO-3PN
电流 - 集电极脉冲 (Icm) : 60 A
功率 - 最大值 : 223 W
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA020A120MN-FD
SemiQ
IGBT 1200V 40A 223W TO...
1
2,000
加入询价
GPA020A135MN-FD
SemiQ
IGBT 1350V 40A 223W TO...
1
2,000
加入询价
GPA020A120MN-FD
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA020A135MN-FD
SemiQ
-
库存 : 2,000
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型号:
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