- 品牌:
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- ON Semiconductor (2)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 测试条件:
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- IGBT 类型:
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 栅极电荷:
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- 25°C 时 Td(开/关)值:
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15 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 4A SAWN O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 8A SAWN O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 10A SAWN ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A SAWN ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 35A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT IGNITION LL |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 750V 225A FS4 DI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 |