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晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(1)
900 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
41 A
(1)
43 A
(1)
56 A
(1)
测试条件:
400V,15A,5 欧姆,15V
(1)
600V,13A,5 欧姆,15V
(1)
600V,15A,4.3 欧姆,15V
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
50 A
(1)
60 A
(1)
65 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,15A
(1)
3.9V @ 15V,13A
(1)
3.9V @ 15V,15A
(1)
开关能量:
114µJ(开),165µJ(关)
(1)
130µJ(开),121µJ(关)
(1)
200µJ(关)
(1)
栅极电荷:
55 nC
(2)
60 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
8ns/29ns
(1)
9ns/28ns
(1)
9ns/33ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
封装/外壳 : TO-220-3
IGBT 类型 : PT
供应商器件封装 : TO-220 [K]
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT13GP120KG
Microsemi
IGBT 1200V 41A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GP60KG
Microsemi
IGBT 600V 56A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GP90KG
Microsemi
IGBT 900V 43A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT13GP120KG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT15GP60KG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT15GP90KG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
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