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晶体管
IGBT
单 IGBT
品牌:
Microsemi
(1)
SemiQ
(1)
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电压 - 集射极击穿(最大值):
1000 V
(1)
600 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 A
(1)
60 A
(1)
测试条件:
400V,30A,5 欧姆,15V
(1)
600V,60A,50 欧姆,15V
(1)
IGBT 类型:
NPT 和沟道
(1)
PT
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,30A
(1)
2.9V @ 15V,60A
(1)
开关能量:
13.1mJ(开),6.3mJ(关)
(1)
260µJ(开),250µJ(关)
(1)
栅极电荷:
405 nC
(1)
90 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
13ns/55ns
(1)
230ns/1480ns
(1)
反向恢复时间 (trr):
-
(1)
465 ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
封装/外壳 : TO-264-3,TO-264AA
工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值 : 463 W
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT30GP60LDLG
Microsemi
IGBT 600V 100A 463W TO...
1
2,000
加入询价
GPA042A100L-ND
SemiQ
IGBT 1000V 60A 463W TO...
1
2,000
加入询价
APT30GP60LDLG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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GPA042A100L-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
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