- 品牌:
-
- Intersil(瑞萨电子公司) (1)
- ON Semiconductor (2)
- 测试条件:
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 栅极电荷:
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
6 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F DISCRETE IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 30W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 400V 30W TO220 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
![]() |
ON Semiconductor | IGBT 430V TO220F-3FS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
![]() |
Intersil(瑞萨电子公司) | IGBT 430V TO200FL |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 650V 15A TO-220F |
1 | 2,000 | 加入询价 |