- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 4A SAWN O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 8A SAWN O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 10A SAWN ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A SAWN ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 35A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY |
1 | 2,000 | 加入询价 |
