- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 1200V 1... |
1 | 1,112 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 600V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 100A 240W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 416W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
