- 品牌：
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- ROHM Semiconductor (10)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 326W TO... |
1 | 3,795 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 326W TO... |
1 | 680 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 186 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 443 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | IGBT 1200V 25A,TO-247A... |
1 | 1,800 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 446 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IKW50N65ET7XKSA1 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
