- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
-
7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH 650V 60... |
1 | 899 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V SILICON N-CHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH 650V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH 650V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | ABU / IGBT |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH TO-3F... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
