- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1350V 40A TO247-3 |
1 | 163 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 1,959 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 40A TO247-3 |
1 | 88 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 1,413 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IKW20N65ET7XKSA1 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 330W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1350V 20A 310W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1350V 40A 310W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
