- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A TO252-3 |
1 | 2,001 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO... |
1 | 1,134 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT 460V 20A TO252 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT 460V 20A IGNIT... |
1 | 84 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO... |
1 | 1,991 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 430V 20A 125W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 430V 20A 125W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 430V 20A 125W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 430V 20A TO220AB |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 430V 20A D2PAK |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 380V 20A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
