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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
42 A
(1)
56 A
(1)
64 A
(1)
功率 - 最大值:
184 W
(1)
250 W
(2)
测试条件:
400V,15A,10 欧姆,15V
(1)
400V,15A,5 欧姆,15V
(1)
400V,30A,10 欧姆,15V
(1)
IGBT 类型:
NPT
(2)
PT
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
110 A
(1)
45 A
(1)
65 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
(1)
2.5V @ 15V,30A
(1)
2.7V @ 15V,15A
(1)
开关能量:
130µJ(开),121µJ(关)
(1)
150µJ(开),215µJ(关)
(1)
525µJ(开),600µJ(关)
(1)
栅极电荷:
145 nC
(1)
55 nC
(1)
75 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/225ns
(1)
6ns/105ns
(1)
8ns/29ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值) : 600 V
供应商器件封装 : TO-220 [K]
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT15GP60KG
Microsemi
IGBT 600V 56A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GT60KRG
Microsemi
IGBT 600V 42A 184W TO...
1
2,000
加入询价
APT30GT60KRG
Microsemi
IGBT 600V 64A 250W TO...
1
2,000
加入询价
APT15GP60KG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT15GT60KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT30GT60KRG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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