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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30 A
(1)
50 A
(1)
功率 - 最大值:
212 W
(1)
312 W
(1)
测试条件:
600V,15A,10 欧姆,15V
(1)
600V,25A,10 欧姆,15V
(1)
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
45 A
(1)
75 A
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
(1)
2.5V @ 15V,25A
(1)
开关能量:
1.61mJ(开),530µJ(关)
(1)
4.15mJ(开),870µJ(关)
(1)
栅极电荷:
210 nC
(1)
350 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/166ns
(1)
57ns/240ns
(1)
反向恢复时间 (trr):
320 ns
(1)
480 ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200 V
IGBT 类型 : NPT 和沟道
供应商器件封装 : TO-3PN
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA015A120MN-ND
SemiQ
IGBT 1200V 30A 212W TO...
1
2,000
加入询价
GPA025A120MN-ND
SemiQ
IGBT 1200V 50A 312W TO...
1
2,000
加入询价
GPA015A120MN-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA025A120MN-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
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型号:
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