- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- Bourns, Inc. (1)
- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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39 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 230 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 437 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH |
1 | 240 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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Bourns, Inc. | IGBT 650V 50A TRENC... |
1 | 2,973 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 1,350 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 85 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HOME APPLIANCES ... |
1 | 71 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
