- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IKD10N60RC2ATMA1 |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A TO252-3 |
1 | 2,001 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FLD 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11.7A 30W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 10A SAWN ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
