- 品牌：
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- ROHM Semiconductor (10)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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14 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 186 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 443 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 PG-TO2... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 963 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FLD 650... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 431 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 365W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 |
