- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 功率 - 最大值:
-
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 开关能量:
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 416 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO... |
1 | 447 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO... |
1 | 416 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 40 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 40A D... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT |
1 | 2 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | IGBT HB 650V 40A ISO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |