- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP C... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 40A 136W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 40A 136W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT FIELDSTOP C... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH 1250V 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
