- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- ON Semiconductor (1)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 已选条件：
6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 650V 90A W/DIO ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 11... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 70A 320W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT TRENCH 1200V 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 90... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 30A TO247 |
1 | 62 | 加入询价 |
