- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- Microsemi (1)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1100V 60A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 55A 227.2W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 60A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1100V 55A 227.2W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 40A 156.2W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 1200V 50A 192.3W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
