- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT NPT/TRENCH 1... |
1 | 196 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IGBT600V-XITO-220AB |
1 | 761 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 30W TO2... |
1 | 931 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 PG-TO2... |
1 | 183 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 115W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F DISCRETE IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 220W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 27A 2W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 180W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A TO247A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
