- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- ON Semiconductor (6)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
- 已选条件：
27 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 20... |
1 | 1,933 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 650V 10A TO220 |
1 | 219 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 30W TO2... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 30W TO2... |
1 | 931 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 650V 10A TO220 |
1 | 122 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 16A 30W TO-... |
1 | 67 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11.7A 30W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F DISCRETE IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 30W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO26... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO26... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO26... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 400V 30W TO220 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 20A 20.8W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
