- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (2)
- SemiQ (1)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 已选条件：
8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 600V 100A 312W TO... |
1 | 64 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | ABU / IGBT |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT NPT/TRENCH 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 312W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1600V 60A 312W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1600V 30A 312W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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SemiQ | IGBT 1200V 50A 312W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
