- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 268W TO... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 435 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT, 650 V, 50 A FIE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | AEC 101 QUALIFIED,... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | AEC 101 QUALIFIED,... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | FS4 MID SPEED IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | FS4 MID SPEED IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 650V 50A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 268W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | 650V FS GEN3 TRENCH... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
