- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- ON Semiconductor (6)
- Microsemi (5)
- 工作温度：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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47 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 1350V 40A 340W TO... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 1350V 30A 170W TO... |
1 | 108 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W TO... |
1 | 126 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 650V 40A TO247 |
1 | 124 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO... |
1 | 175 | 加入询价 | |
|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 600V 30A TO247 |
1 | 45 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W TO... |
1 | 92 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 120... |
1 | 68 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 80A 384W TO... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 650V 92A 357W TO... |
1 | 14 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 375W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 30A 260W TO... |
1 | 600 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 1250V 40A 259W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 1350V 20A 340W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | IGBT 1200V 20A TO-247 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
