- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (4)
- ON Semiconductor (8)
- Littelfuse (6)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
-
- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
-
- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 反向恢复时间 (trr)：
-
35 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | IGBT 1700V 40A 250W TO... |
1 | 380 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,965 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO... |
1 | 104 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 165W TO... |
1 | 131 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 40A 178.5W T... |
1 | 50 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 3000V 40A 160W IS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 40A TO220AB |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT UFAST 600V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | IGBT UFAST 600V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT NPT 1200V 40A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 300W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
