- 品牌：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 55... |
1 | 153 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,697 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH |
1 | 205 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 PG-TO2... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 55... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 99 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 55... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 55... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 55... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
