封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTM10DSKM09T3G Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10HM09FT3G Microchip Technology
MOSFET 4N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10TAM09FPG Microchip Technology
MOSFET 6N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10DDAM09T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10DHM09TG Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10HM09FTG Microsemi
MOSFET 4N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10TDUM09PG Microsemi
MOSFET 6N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM10DHM09T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTML102UM09R004T3AG Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 15...
1 2,000 加入询价
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