FET、MOSFET 阵列 - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

配置：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	APTM100H46FT3G	Microchip Technology	MOSFET 4N-CH 1000V 1...	1	2,000	加入询价
	APTM100A46FT1G	Microsemi	MOSFET 2N-CH 1000V 1...	1	2,000	加入询价
	APTM120A80FT1G	Microsemi	MOSFET 2N-CH 1200V 1...	1	2,000	加入询价

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