- 品牌：
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- Diodes Incorporated (39)
- Intersil（瑞萨电子公司） (4)
- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (13)
- Panasonic (12)
- Vishay / Siliconix (10)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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146 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 0.5... |
1 | 82,578 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
1 | 26,826 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 280,366 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.5... |
1 | 105,023 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 2A... |
1 | 309,641 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.5... |
1 | 230,030 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.2... |
1 | 59,927 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 3N/3P-CH 60V... |
1 | 1,577 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
1 | 44,607 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
1 | 42,262 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 20V 0... |
1 | 32,028 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
1 | 225,292 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A... |
1 | 255,818 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 71,555 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A... |
1 | 46,879 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 5P-CH 60V 5A... |
1 | 275 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 482,497 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V 6... |
1 | 7,655 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 5N-CH 60V 10A... |
1 | 125 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
1 | 4,000 | 加入询价 |
