- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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29 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 35,251 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 25A... |
1 | 35,883 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 50A... |
1 | 2,100 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 10P... |
1 | 902 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 6MLP |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 10P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 8WLCS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
